磨削在硅晶加工-机械抛光表面检测显微镜

磨削在硅晶加工-机械抛光表面检测显微镜
    晶体的取向平面和鉴别平面也需要磨削在硅晶毛坯上，它是以后各依次顺序加工时的基准面
硅晶圆的标准(较大)取向平面(精度±0．50)和掺杂类型的鉴别平面。这之后就可以用各向同性的氢氟酸、硝酸和乙酸对硅进行抛光腐蚀，从而去掉有损伤的材料，并使毛坯的直径达到额定标准值(±1mm)。下一步是切片，使用带有金刚石或镍切割刀的锯床将单晶棒切割成片。虽然锯刀已经做得尽可能的薄了，但它仍会有约100μm的厚度，所以每切割一片硅片就会损失约125μm的棒材，就是说，在切片工序中单晶硅棒材要损失近1／4。锯割过程中同样会造成晶圆表面的损伤，所以需要再一次使用上述的混合酸对晶圆进行各向同性的抛光腐蚀，去掉50—80μm的硅层。    最后是抛光和清洗。晶圆的化学机械抛光使用的是碱性溶液中有细颗粒SiO2的悬浮胶。之后用多种清洁剂和水很好地清洗烘干。对抛光后晶圆平整度的要求取决于随后各道工序的指标，较典型的为±5μm左右，对用于制备微变送器和MEMS器件的晶圆来说，经常会需要从晶圆的背面进行刻蚀，所以对它们必须两面都抛光。