热压的工艺设备-压制生坯开始烧结分析显微镜

热压的工艺设备-压制生坯开始烧结分析显微镜

    烧结过程中的晶粒异常生长    压制的生坯开始烧结时，气孔多位于晶界处，～定阶段后，晶界迅速迁移，有的气孔包容于晶粒内，个别晶粒迅速长大，称为异常晶粒生长。原料的颗粒尺寸分布过宽时，易造成异常生长。在烧结后期，部分高致密地区易出现异常生长的成核处170]。晶界处某些活动的第二相，也会引起异常生长。异常生长的晶粒尺寸有时候比正常生长的晶粒大几个数量级，这对陶瓷的性能非常不利，例如对耐电强度、机械强度、抗热震性等都有损害，也影响致密烧结。在刚玉陶瓷中引人少量MgO，可使晶界活动性减少100倍，从而可以避免异常生长。如果加入物超过固溶限，形成第二相，抑制晶界迁移，则也可防止异常生长。一些过渡金属氧化物的非化学式量和缺陷，极易被烧结中氧分压所控制
    热压的工艺设备主要为电炉和压机的结合，温度以及压力控制，有时要抽真空或通气氛，这就需要密封及水冷。热压用的模具通常用氧化铝、碳化硅或氮化硅制造，可在1200℃使用。热压温度低于900℃时，可采用超合金钢为模具。由于金属模冷却收缩远大于压制品，使热压件不易取出，也常发生因应力原因使制品破裂。有时压制时需采用惰性粒料隔开，防止高温下样品与模具反应。例如用电熔ZrCh粒子隔开，使压力通过垫料传送到样品。热等静压是通过气体向样品加压，这时需采用贵金属铂。铂耐高温可代替橡皮包封试样。也有把样品先经普通烧结，用形成的表皮代替铂，然后再进行热等静压，此方法已用于高要求元件(如磁性瓷记录头)的热等静压。