碳化硅晶体实验-显微镜观察晶体生长面上显微形貌

碳化硅晶体实验-显微镜观察晶体生长面上显微形貌

  蜷线原点的观察给我们提供了极大的兴趣，在蜷线的极点往往发现有某种包裹物，固体的外来颗粒一般具有不规则的形状；含有气体包裹物的孔穴通常具有平行于晶面平面的圆形或六角形的截面，在这种情况下证实了外来杂质起着蜷线生长的活动中心的作用的这种假设，然而在很多情况下，在蜷线中心没有发现任何包裹物，这时蜷线可能是由于晶体原始骨架的生长而形成蜷线，我们现在不来讨论有利于产生蜷线的第二种机理的已有事实。
 在一定的技术条件下得到的碳化硅晶体是透明的，同时有些试样充满了粗大的气体包裹物，这些气体包裹物有时可能提供我们认晶体表面生长的历史，在气孔包裹物的底表面上我们成功地看到蜷线的最初几圈和生长层组，观察得到的结论是，在晶面生长过程中，其蜷线显微形貌 可以发生重大的改变，在晶面生长的邻近区内产生的新中心与原始的支配中心竞争；晶体中的缺陷常常沿着倾斜方向的点阵转换，由新生长中心处的急剧生长可以完全改变生长层阶前的方向，因此，生长的晶面是不断地改变显微形貌的表面，显微形貌的个别要素仅仅是在某一段时间内的在晶面的小区域范围内同周相在生长的。
  同时，如上述碳化硅晶体的显微镜研究指出了晶体生长面上显微形貌 的多变性，晶面被晶界所分离的表面局部区域具有蜷线结构，通常蜷线包围了晶面表面相当大面积，而沿着厚度方向，它们概括的面积则较小，这些区域内的蜷线梯阶的高度往往是简单整数。  因此可以认为，与晶体结构空间的我灸性相似，存在着有历史意义的晶面蜷线显微形貌的可变性，同时，有蜷线结构的局部区域则相当于以一定层次排列的规律为特征的区域，同时应该指出，在个别情况下，螺旋梯阶状小的高度可达4微米，严格遵守一定的堆积规律，由这种螺旋梯阶状小所形成的蜷面层的高度，显然应该与晶体区域内的点阵重复周期一致。