工业碳化硅样品中的杂质的光谱分析图形学显微镜

工业碳化硅样品中的杂质的光谱分析图形学显微镜
    工业碳化硅的热力水灾、X 射线、红外线光谱及化学研究从热力学考虑，SiC 与结合剂之间可以在各种气氛下发生反应，由此表明，有利于优先析出，实验室试验是以现游离是引起黑心的原因，是与此相符合的，并且在工业产品内也还可能有游离存在。    在似订各种SiC 变体的X 射线定量分析方法时，发现了SiC 的结构概念都不是足以全面地解释所有的X 射线图谱，应用这种方法求得了：为纯粹的六方SiC 中含有达到30% 的立方SiC ，否则假设的强度比率就要加以改正了，各种SiC 试验的红外光谱具有特征的差别。    几个工业SiC 样品中的杂质的光谱分析指出，杂质对于颜色同，在碱与酸中的溶解度以及荧光性无确定的影响，另一方面，新发展的“溶盐试验”指出SiC 损失数量随杂质增加与颜色加深而增大，颗粒极细的SiC 试样可以在氧化气氩中迅速烧掉，还原气氛引起黑心，而含硫气氛使粘土有结合剂的SiC 坯体在不同的温度、结合剂、气氛等条件下的烧成实验指出，为了避免出现黑心，应当在氧化气氛下烧成，而烧成温度则取决于采用的结合剂。