电子陶瓷中晶粒的平均粒径测量多功能图像显微镜

电子陶瓷中晶粒的平均粒径测量多功能图像显微镜
二次晶粒长大与气孔的陷入
  在一般的电子陶瓷中二次粒长是屡见不鲜的，其粒长速度，与坯料粉粒的细度有明显的关系，通常可以得到如图3-31所示的规律性，即粉料径越细，二次粒长速度越大，最终的二次粒径也越大，粉料粒径愈粗，二次粒长速度愈慢，则二次粒长所生长的粗粒最终粒径，比细燃料时还要小，从图3-31中可以看出，当初始粒径达60微米，而当初始粒径为10微米，最终粒径却不到50微米，出现象曾经使人困惑不解，但当你知道二次粒长的机制之后，则对这种现象就不会奇怪了，因为粉料的初粒愈强，一次晶粒的平均粒径较小，出现偶然粗粒的可能性也较大，故使二次晶粒成核容易，恒速长大时的粒长速度也大，故极易长大型二次晶粒，当粉料的初粒径较大时，则正好相反，一次晶粒的平均粒径较大，后期恒速长大时的速度也较慢，故形成的二次晶粒也就比较小，所以坯料粉料愈细，愈要注意防止二次粒长的发生。
  在二次粒长的过程中，有时也会出现非常平直的界面，表面张力，粒界平衡的情况是不大一致的，这种平直粒界几乎全都出现在烧结过程中存在少量液相、且又能完全润湿和包裹晶粒表面的场合，特大晶粒所暴露的外面的，是其自身晶系中，质点排列最密集、表面自由能最低的表面，故在通过液相作用的溶入-析出过程中，将有大量质点在这种自由能最低的表面上定居，而和它相邻的小晶粒或尖凸粒面，将大量的溶入液相之中，其结果必然使大量的液-固界面消失，使物系自由能显著降低，由于少量液相的阻隔，故相邻小粒和粒界取向或曲率、外形，对平直界面都失去了约束作用，不能影响其表面的构型，在与这种巨大平面相润湿的液膜中，基质的浓度、或其溶入析出过程不见得到处都能均匀一致，但为了要保持平面的连续推进，故在个别浓度小，凝集慢的地方，将出现局部缺陷，如粗粒中黑点所示，故粗粒仍远非理想的单晶。