样品氧化过程试验实验分析图像显微镜制造厂商

样品氧化过程试验实验分析图像显微镜制造厂商
  中等程度压力的试验
  进行了一系列的在10毫米水银柱至一大气压的压力范围内高温氧化过程的试验，在10毫米水银柱压力或较低压力下，发现样品失重是由于氧化过程的结果，说明在这个压力范围内这个反应涉及挥发的化合物SiC和CO从表面去除，在较低压力范围内氧化速率高于压力的范围，样品在高压力范围内由于形成SiC而增加重量，在10毫米水银柱的大气压之间的某些压力必然存在着一个过渡范围，在这个过渡范围挥发过程被薄膜的形成所代替。
  若将高真空和高压力下的试验结果相联系，关于氧化过程可以概述于下列的步骤。
  1、在低压力和室温下，氧吸附在清洗的SiC表面上具有0.01数量级粘附系数，吸附层的正确结构末曾清楚，但是以前的经验指出平衡层厚度可能不大于2个单分子层，吸附层的存在导致表面性质如功函数和光电产率大大的改变。
  2、增加温度和维持氧的压力在10毫米水银柱对不上号，SiC以挥发氧化物形态的蒸以成为重要的了，且引起可以测量得出的重量损失，这和所观察到的吸附的愧疚能够在真空下低达500℃时部分地被除去的现象一致的。
  3、如果氧化是一个大气压数量级的压力下和900℃以上发生的，那末就会有数百单分子层厚的SiC薄膜形成，当平衡复盖层完成时，则表面就可以防止进一步的氧化，因为早以确定，初期的氧单分子层形成能够使表面的电性产生很大变化，所以研究较厚的分子层产生影响是重要的，从确定氧化物层所引起的作用的观点研究了SiC晶体和铜点接触处之间的整流性质，他的实验指出SiC薄膜对整流过程不是重要的，仅仅作为一个电阻层。