镶嵌小巧电子学线路并有较好的位置分辨率检测显微镜

镶嵌小巧电子学线路并有较好的位置分辨率检测显微镜

位置灵敏探测器
  半导体探测器发展的早期，就试图制造一种小巧的同时是位置和能量灵敏的器件。在这些早期的器件中，用镶嵌许多分开的探测器的组创，或在同一基片材料上制成一定数目的适当分开的面垒型计数器，来得到对入射粒子位置的灵敏性。
    位置灵敏探测器”近来代替了这些系统，因为它结构简单，简化了相关的电子学线路并有较好的位置分辨率(探测器单元之间不存在死空间)。使用这些器件能够直接记录粒子的角分布或者代替磁谱仪上用的照像底板。它能够同时分析入射粒子的动量和能量，避免了对照象底板作繁琐的显微镜观测。晶格的结构缺陷    人们通常把半导体晶体假设为静止原子的完美的周期性结构。实际的半导体与这种情况有许多差别，这种差别主要有热振动、杂质和结构上的缺陷。对半导体辐射探测器来说，在制造过程中很容易产生结构缺陷(在375℃时锗就发生塑性变形)。结构缺陷也可以由辐射引起。    缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影响，我们以后再研究它。在半导体中存在的结构缺陷，大致可分为如下几类：口)点缺陷；6)线缺陷；c)面缺陷。因为关于面缺陷(即。台内平面或表面的不完整性)，目前知道得不多，而且它们并不显得非常重要，所以我们着重讨论前两类缺陷。