使用电子显微镜研究加热时微观结构缺陷消失的过程

使用电子显微镜研究加热时微观结构缺陷消失的过程
    人们已经使用电子显微镜研究加热时缺陷消失的过程。例如大约在473k时，铝中淬火位错环逐渐缩小而最后消失。  该过程的激活能为1．3电子伏持，这就提醒我们，该机理是位错攀移，  因为通过空位的散射位错环能收缩。消失速率呈抛物线性变化，进一步缩小更加迅速。淬火空位引起电阻率增量变化，测量这个变化表明：同样温度范围内铝的位错环消失时，其电阻率就恢复。实际上，电阻率曲线有两段：第一段在室温下几分钟内发生，设想为空位在聚集并且形成位错环j第二段温度为423k～473k之间发生，这是位错环的消失阶段。用退火的方法较难于消除四面体缺陷。金中的四面体缺陷温度为873～923k的范围内才消失，并与电阻率的显著下降相对应。1温度为623～673k退火时，位错环消失(自扩散)  的激；活能约为1．8电子伏特，而四面体运动的激活能接近5电子伏特。
更详细的观测可知，大量辐照的金属中，直径约25埃的小暗点或者观察到的更小的暗点很可能是发生贫化的区域而不是位错环不仅在一般的辐照温度下，而且在低于223K的温度下，铜中也容易形成这些小暗点。这一迹象提醒我们，小暗点是就地形成而不是扩散形成的。更进一步的研究得知，小暗点浓度的增加与辐照成正比，不同于已经观察到的较大位错环。在相当低的温度(铜、银为623K以下)下进行退火时；可能由于预先未分解的缺陷的长大而出现更多的的小缺陷。其后，某些黑点以消耗其它小点而得到生长。    现在讨论微观结构更明显特性的位错环精确性质。已经发现了间隙型和空位型位错环的证据，但这些试验指出，空位型的位错环是主要的