测量方法分为化学、物理和电学分析几种,计量工具显微镜

测量方法分为化学、物理和电学分析几种,计量工具显微镜

高质量掺杂的亚微米层就是采用这个方法生长的，它的主要优点是把生长环境控制在超高真空中，以及在生长之前用各种方法清洗衬底的有效性(也就是说，以控制气氛和离子轰击的方式进行高温热处理)。
    显然，相对于标准外延法来说，分子束外延是不能进行大批生产的工艺过程；设备昂贵，而且优点比较少。然而，这种外延技术可以应用在极薄结构的生长中，而通常的生长工艺，这种控制则更加困难。
目前实际应用的鉴定技术是很多的，而且其数量正在日益增加。事实上，每一种新型器件的问世势必随之产生一种新的鉴定技术。器件的发展包括着器件工程师不断地向材料科学家提供其所做器件在性能方面出现的问题。其有关参数可以通过适当的测量方法进行单独的检定，并且相应地改进材料的工艺，使之适合于器件的进一步发展。因此，材料的鉴定正由高度复杂而专门的技术向适用于生产的简单、通用和联机测量的方向发展。
    通常，首先把测量方法分为化学、物理和电学分析几种，然后再分为研究、试制和生产三个互相关联的阶段。对各种初步提纯过的原材料以及用它们所制备的体单晶来说，化学分析是必不可少的。而对于薄层来说，因为可用作分析的材料的量极少，所以必须采用专门的技术进行测量。这些专门技术主要是由体材料的测试方法发展起来的。然而，对表面层的研究尚需有更为特殊的方法。    物理分析可以给出关于半导体晶体结构和结晶学性能的数据，以及半导体的力学和几何学特性。
    电学分析测定的参数直接影响着用这种材料所做成的器件的性能。所用的方法取决于器件结构所造成的限制。    研究的顺序并没有明昂的界限．因为各种枝术是互相关联的。每一种方法都要在实际的器件范围内经受检验，以便选择出最佳的鉴定方法。对半导体行业的主要的评论是将许多精力耗费在测量和记录无用的或多余的数据上。无可非议，测量是要耗费时间和金钱的，因此就应当经常根据所获得的有用数据来重新估计每一个测量方法的价值。