扩散和氧化是制造集成电路的基本工艺-电路板检测显微镜

扩散和氧化是制造集成电路的基本工艺-电路板检测显微镜
扩散和氧化是制造集成电路的基本工艺。扩散是向硅晶体掺入杂质原子的方法。氧化是为掩蔽、钝化和隔离在硅表面上生长玻璃氧化层的过程。这两种工艺通常都应用了由管状电阻加热炉所产生的高温。
    扩散是物质由原子布朗运动引起的基本物理、化学性质。在显微镜下看，扩散过程是各个可识别的实体(例如电子、原子或：分子)在浓度梯度方向上的传播。扩散物质的运动习惯上用“扩散系数”。一一量纲为面积，7单位时间——来表示。如果已知特定环境下一种物质的扩散系数，就可以用解经典扩散微分方程的：方法来预计该物质(作为时问函数)的运动。
即使在扩散过程中精确地控制扩散时间，扩散温度和硅片上的杂质浓度，扩散杂质层的深度和薄层电阻的计算值也只是接近实际测得的数值而已。在集成电路的生产中，为了取得良好的控制和重复性，从所使用的专用设备上获得的经验曲线是十分重要的。