功率晶体管的热性能由热阻的大小来衡量-图像显微镜

功率晶体管的热性能由热阻的大小来衡量-图像显微镜
    功率晶体管的热性能由热阻的大小来衡量，功率晶体管的热阻是根据芯片温度和封装壳体的下表面温度之差与耗散功率之比来计算的，因此对功率晶体管热阻的测试，主要难点是测量芯片温度，通常测量芯片温度有两种方法：一是热敏电参数法，根据晶体管基极和发射极炎间的正向压降来推算芯片温度，这种方法只能反映芯片上某种平均温度，不能测定芯片上和温度分布，因此根据热敏电参数测定的晶体管热阻，只能认为是某种平均不能正常工作，二是红外扫描法，它是用红外探测器来检测芯片的辐射能量密度分布，由此可以确定芯片的表面温度分布，用这种方法可以较准确地测定芯片上有峰值温度及其位置，用显微微热成象法来研究晶体管的热性能有很多优点，但是亦有很多问题需要研究和解决，如热成象法必须在晶体管开帽状态下测试，开帽状态与实际工作状况有一定的差异，芯片表面发射率的不确定度对测量有较大的影响，仪器设备昂贵，需要有较高的初投资等。
    显微热成象技术热成象技术是把物体表面的红外辐射能量密度分布图象转换为可见光图像，即用仂彩色图象来表示热辐射能量密度的分布。