微米缺陷可以在斜射光线下用目测或显微镜观察

微米缺陷可以在斜射光线下用目测或显微镜观察到
  表面缺陷 在混合集成电路中，基片的表面性能对电路的性能和可靠性的影响是非常大的，由于基片表面直接与淀积材料相接触，特别是基片的表面缺陷会在淀积过程中延伸到材料中去，根据表面缺陷尺度的大小，基片表面缺陷大致可以分为下面四类：
  1.原子尺度的缺陷：点缺陷、位错线、解理面上的单原子突出部分。
  2.亚微米尺度的缺陷：抛光划痕、拉制玻璃时留下的伤痕、气孔，
  3.微米尺度缺陷：研磨划痕、多晶基片材料的晶界、针孔、基片互相摩擦产生的划痕、位制玻璃时留下的痕路。
  4.宏观缺陷：表面弯曲、烧结时掉在基片上的颗粒，上弯月面等。  原子尺度的缺陷对外延伸单晶膜和氧化膜的影响颇大，对混合集合电路来说，比较重要的是微米和亚微米尺度的缺陷，因为宏观缺陷比较容易观察出来，可由生产单位和使用者把有宏观缺陷的基片是出，面放亚微米缺陷则一般不易直接观察，更严重的是往往在电路生产过程中还会人为地增加这些缺陷，这里要特别指出的是，在清洗、安放时基片间的相互摩擦的不锈钢镊子尖对基片的划痕，都是在生产过程中人为产生的缺陷。为此，在清洗和烘烤基片时，最好应将基片固定在专用夹具上。  亚微米缺陷和微米缺陷可以在斜射光线下用目测或显微镜观察到。如果在制造电路前能把这些缺陷的基片剔除，则可大大提高电路的性能和成品率