刻蚀的图形质量表面微观检测图像显微镜

刻蚀的图形质量表面微观检测图像显微镜
     抗蚀剂表面交链也能提高抗蚀性能。-例如在等离子体的作用下，也能使抗蚀剂表面交链。一般来说，经过特殊处理的抗蚀剂不再溶予自身，而抗蚀性大大提高。    用正性抗蚀剂要特别注意氮气的影响，因为正性抗蚀剂暴露在氮气下会使抗蚀剂的曝光量增加至原来的8倍。这一反应称为光化化合反应(PAC)。大多数经过处理后的抗蚀剂会变得坚韧，要用灰化技术来去胶，最常用的灰化去胶技术是甩氧等离子体去胶技术    在掩膜版翩造工艺中，后烘工艺(也称坚膜)十分萤要，其主要目的是提高抗蚀剂的抗蚀性能，改善抗蚀剂与待刻蚀材料的粘附性(防止千法和湿法刻蚀时的钻蚀)。在后烘工艺中，不同抗蚀荆的最佳后烘温度不同，原因是在高温下各种抗蚀剂的反应是不相同的。这种热流动或者物理变化会影响湿法刻蚀的图形质量。一般情况下，抗蚀剂的热流动主要发生在抗蚀剂豹表面，·对抗蚀剂的线宽影响不大，而且大部分用作掩膜的材料都非常薄，刻蚀的时间短，因此图像尺寸的变化不大。后烘的温度不宜太高，只要能提高抗蚀效果和不发生钻蚀即可。