圆片制作各种图形对测量设备的要求是不同的

圆片制作各种图形对测量设备的要求是不同的

    在掩膜及圆片制作中，对几何尺寸的测量是决定工作质量好坏的最后判决。在超平整表面上形成图形的整个工艺过程，只有当形成符合预先计算的线宽的一套几何图形后，才能算结束。而钕电子制备的全部工艺过程的成败，很大程度决定于对半导体表面上形成的几何图形测量的精确性和可靠性。  ·’现在：掩膜和圆片制备的图形尺寸在1μm的范围内，因此相应的临界尺寸的容差在0．2～0.4μm范围内，并且正日趋减小。掩膜生产发展的趋势是图形精度和生产批量的进一步提高。图形尺寸的测量设备都在翻新，变得越来越高级。在本章中，我们只能尽我们所知来综述各种测量方法。      各种图形对测量设备的要求是不同的，应该正确了解实’际的需要，才能正确地确定所需的测量设备。对研究部门来说，由于从事的图形的几何尺寸已处于科学发展的前沿，而且对测量设备的需要量特别小，因此应该具备最先进的测量设备。而在圆片生产线中情况完全不同，实行三班制工作，一为保证质量需对大量盼几何尺寸进行测量。我们将阐述掩膜制备工艺流程的各个不同步骤，并确定用于检验图形的设备，整．个阐述过程从数据磁带的原始输出开始，一直到集成电路芯片进行终端测试和封装以前的已刻蚀金属和引线脚宽度的测量为止。